Измерение температуры в установках выращивания кристаллов карбида кремния и нитрида алюминия

Измерение температуры в установках выращивания кристаллов карбида кремния и нитрида алюминия.
Наряду с традиционным кремнием, в новых разработках полупроводниковой электроники, все чаще применяются такие материалы как карбид кремния SiC и нитрид алюминия AlN.
Параметры кремниевых приборов уже подошли к своему физическому пределу, устанавливаемому фундаментальными характеристиками этого материала. Поэтому освоение новых полупроводниковых материалов становится все более актуальным.
Карбид кремния и нитриды элементов III группы (в частности, алюминия) - кристаллические материалы, обладающие уникальным набором характеристик: высокой химической, радиационной и температурной стойкостью, а также механической прочностью.
Они имеют большую ширину запрещенной зоны- важный параметр для полупроводниковых материалов.
Это очень перспективные материалы для элементной базы твердотельной электроники, работающей в экстремальных условиях, в частности, в аппаратуре космической техники.
Исследования по выращиванию кристаллов карбида кремния и нитрида алюминия проводятся как за рубежом, так и в РФ, в частности в ряде институтов и организаций в Санкт-Петербурге. Такие предприятия изготавливают компоненты и устройства для современной электроники, в том числе, приемно-передающие и приемно-усилительные модули, компоненты для радиационно-стойких микроволновых приборов.
Для выращивания данных материалов требуются специфические ростовые установки, с закрытой атмосферой, обеспечивающие проведение процесса при температуре выше 2000 С.

Пример установки показан на рисунке.

Контроль и управление температурой в процессе выращивания – один из ключевых элементов технологии. В силу специфики конструкции и высоких температур процесса (выше 2000 С) измерение контактным способом практически невозможно.

Для неконтактного измерения температуры через иллюминатор в ростовой установке, применяются пирометры спектрального отношения серии Endurance.
Диапазон измерений от 1000 до 3200 С и уникальная особенность работы стационарного пирометра на двух длинах волн в коротковолновом диапазоне, позволяют проводить стабильные измерения температуры через защитное окно в камере.
Стационарные промышленные пирометры дают стабильные показания, с хорошей воспроизводимостью.
Точность пирометра ± 0,5% Т изм.+2 С, воспроизводимость ±0,3%.
Время отклика 10 мсек.
В режиме двухцветных измерений, показания стационарного инфракрасного пирометра мало зависят от коэффициента излучения объекта.
Для удобства расположения на установке, пирометр оснащен специальным поворотным зеркалом, позволяющим проводить измерения под углом 90 град. к оси измеряемого объекта.
Выходные сигналы 4-20 мА, RS-485 и Ethernet дают возможность выводить полученные данные в систему автоматизации ростовой установки.

Пирометр купить на выгодных условиях можно в компании «ТЕККНОУ».
Свяжитесь с нами или оставьте заявку на сайте.